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650V Mシリーズ: 低損失(2kHz~20kHz)

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650V IGBT Mシリーズは、ハードスイッチング回路トポロジにおいて2kHz~20kHzの範囲で動作するアプリケーション向けに設計され、導通損失とスイッチオフ損失のバランスが最適化されています。IGBTはSTPOWERファミリの製品です。

スタート時温度150℃(Tᴊ)における最小短絡保証時間が6µs、最高動作接合温度が175℃(Tᴊ)で安全動作領域(SOA)が広いため、電力損失の大きなアプリケーションの寿命を延長し、信頼性向上に貢献します。

4A~200Aの定格電流に対応しています。低順電圧降下と高度のソフト・リカバリを保ちつつ、高速リカバリ向けに最適化された新世代のフリーホイール・ダイオードを内蔵した幅広いパッケージで提供されます。

主な特徴

  • 最大20kHzのアプリケーション向け低損失IGBT
  • 650Vのブレークダウン電圧、6µsの最小短絡定格時間(スタート時 TJ150℃の場合)、および175℃の拡張最高動作温度(TJ)による高い堅牢性と信頼性
  • 低熱抵抗の薄型IGBTダイ
  • 正温度係数を持つVCE(sat)および狭いパラメータ分布による設計の簡略化および容易な並列化
  • ファストリカバリ向けに最適化されたダイオード(高度のソフト・リカバリ、低EMI、低ターンオン損失)

STの幅広いSTPOWER製品ポートフォリオは、最先端のパッケージと保護により高い信頼性と安全性を実現しています。これにより、長寿命かつ高効率の、カスタマイズされたアプリケーション開発をサポートします。

IGBT M series