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  • The device is manufactured using high voltage Multi-Epitaxial Planar technology for cost-effective high performance. It uses a Hollow Emitter structure to enhance switching speeds. The device is designed for use in lighting applications and low cost switch-mode power supplies.

    主な特徴

    • In compliance with the 2002/93/EC European Directive
    • High voltage capability
    • Low base drive requirements
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Fully characterized at 125 ˚C
    • Very high switching speed

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BUL98 TO-220AB Tube
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS4350
      High voltage fast-switching npn power transistor
      2.3
      213.93 KB
      PDF
      DS4350

      High voltage fast-switching npn power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
BUL98
アクティブ
TO-220AB インダストリアル Ecopack2

BUL98

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

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Marketing Status

アクティブ

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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