製品概要
概要
The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.-
特徴
- Low collector-emitter saturation voltage
- Integrated antiparallel collector-emitter diode
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
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製品スペック (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
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| 11.2 | 19 Sep 2016 | 19 Sep 2016 |
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - MJD122
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| MJD122T4 | 4 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | DPAK | - | 150 | CHINA | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィス または販売代理店 までお問い合わせください。
