Low voltage NPN power Darlington transistor

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製品概要

概要

The devices are manufactured in planar technology with \"base island\" layout and monolithic Darlington configuration. The resulting transistors show exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - MJD122

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フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
MJD122T4
量産中
DPAK インダストリアル Ecopack2

MJD122T4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品型番
製品ステータス
Budgetary Price (US$)*/Qty
STから購入
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パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
Operating Temperature (°C) (max)
MJD122T4
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販売代理店在庫 MJD122T4

販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

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MJD122T4 量産中

Budgetary Price (US$)*/Qty:
-
パッケージ:
梱包タイプ:
RoHS:
Country of Origin:
ECCN (US):
ECCN (EU):

製品型番:

MJD122T4

Operating Temperature (°C) (max):

150

販売代理店

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。