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MAX-247パッケージに収容された、ブレークダウン電圧範囲が400V ~ 650VであるSTのMDmesh™ MOSFETは最小15mΩ(650V)の極めて低いオン抵抗(RDS(on))を実現します。 

  • MDmesh M5シリーズ: 極めて低いRDS(on)により、ハイパワーPFC回路、電源、太陽光インバータの電力損失を大幅に低減します。 
  • MDmesh M2シリーズ: ソフトスイッチング・トポロジーにおけるRDS(on)と容量プロファイルの間のトレードオフを最適化します。  
  • MDmesh DM2シリーズ: フルブリッジ位相シフト型ZVSトポロジー向けに最適化された高速回復ダイオード内蔵シリーズです。よりソフトな転流動作を示すAEC-Q101認定済みの400V、500V、600V、650Vのデバイスも取り揃えています。 
  • MDmesh M6シリーズ: 共振トポロジー向けに最適化されたST最新のスーパージャンクション技術を採用しています。産業用および自動車用市場向けに提供しているシリーズです。  

これらのパワーMOSFETは、小型およびハイパワー・パッケージ(DPAK、IPAK、D2PAK、H2PAK、I2PAK、I2PAKFP、MAX-247、ISOTOP、SO8、SOT-223、TO-220、TO-247、TO-247-4、TO-3PF、TOLL、およびPowerFLATファミリ(3.3 x 3.3 mm、5 x 5 mm、5 x 6 mm HV、8 x 8 mm HV)で提供されます。


推奨製品

New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction (SJ) MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications.

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