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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

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  • This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

    主な特徴

    • Very tight variation of on-resistance vs. temperature
    • Slight variation of switching losses vs. temperature
    • Very high operating temperature capability (200 °C)
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance
    • Easy to drive

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技術文書

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
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TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

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