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SCTWA10N120

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Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 550 mOhm (typ., TJ = 150 C) in an HiP247 long leads package

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This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.

主な特徴
- Very tight variation of on-resistance vs. temperature
- Slight variation of switching losses vs. temperature
- Very high operating temperature capability (200 °C)
- Very fast and robust intrinsic body diode
- Low capacitance
- Easy to drive
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All resources

製品スペック (1)

	Resource title		Latest update
PDF	DS11539 Silicon carbide Power MOSFET: 12 A, 1200 V, 550 mΩ (typ., TJ=150 °C), N-channel in an HiP247™ long leads 1.0		26 Sep 2020	26 Sep 2020 DS11539 Silicon carbide Power MOSFET: 12 A, 1200 V, 550 mΩ (typ., TJ=150 °C), N-channel in an HiP247™ long leads 1.0

アプリケーションノート (3)

	Resource title	Latest update
PDF	AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1	21 Aug 2015	21 Aug 2015 AN4671 How to fine tune your SiC MOSFET gate driver to minimize losses 1.1
PDF	AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0	15 Jul 2019	15 Jul 2019 AN5355 Mitigation technique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp 1.0
PDF	AN3152 The right technology for solar converters 1.4	13 Sep 2018	13 Sep 2018 AN3152 The right technology for solar converters 1.4

テクニカル･ノート & 技術解説 (2)

	Resource title		Latest update
PDF	TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2		23 Feb 2015	23 Feb 2015 TA0349 Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs 2.2
PDF	TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0		22 Sep 2020	22 Sep 2020 TN1340 Recommendation for die sintering with Ag finishing 1.0

ユーザマニュアル (1)

	Resource title		Latest update
PDF	UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3		21 Oct 2016	21 Oct 2016 UM1575 Spice model tutorial for Power MOSFETs 1.3

フライヤー (5)

	Resource title	Latest update
PDF	ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0	08 May 2020	08 May 2020 ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
PDF	STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0	22 Jul 2020	22 Jul 2020 STPOWER SiC MOSFET The real breakthrough in high-voltage switching 1.0
PDF	STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0	14 Oct 2020	14 Oct 2020 STPOWER TRANSISTORS 7/10 years longevity commitment program 1.0
PDF	SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1	15 May 2020	15 May 2020 SiC MOSFET, the real breakthrough in high-voltage switching 1.1
PDF	SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 SiC MOSFETs: The real breakthrough in high-voltage switching 3.0

パンフレット (1)

	Resource title		Latest update
PDF	Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1		23 Mar 2020	23 Mar 2020 Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1

カンファレンスペーパー (5 of 7)

	Resource title	Latest update
PDF	3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 3C-SiC Hetero-Epitaxially Grown on Silicon Compliance Substrates and New 3C-SiC Substrates for Sustainable Wide-Band-Gap Power Devices 1.0
PDF	Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Cost benefits of a SiC MOSFET-based high frequency converter 1.0
PDF	Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 Design rules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs 1.0
PDF	SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0	25 Jul 2018	25 Jul 2018 SiC and Silicon MOSFET solution for high frequency DC-AC converters 1.0
PDF	Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stacking Faults Defects on 3C-SiC Homo-Epitaxial Films 1.0
PDF	Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0	23 Jul 2018	23 Jul 2018 Stress Relaxation Mechanism after Thinning Process on 4H-SiC Substrate 1.0
PDF	Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0	23 Mar 2020	23 Mar 2020 Wide bandgap materials: revolution in automotive power electronics 1.0

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

品質 & 信頼性

製品型番	Marketing Status	パッケージ	グレード	RoHSコンプライアンスグレード	材料宣誓書**
SCTWA10N120	量産中	HIP247 long leads	インダストリアル	Ecopack2

SCTWA10N120

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

More Info

Marketing Status

Package

HIP247 long leads

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

	製品型番	販売代理店からオーダー	STからオーダー	製品ステータス	ECCN (US)	ECCN (EU)	梱包タイプ	パッケージ	温度（℃）		Country of Origin	Budgetary Price (US$)*/Qty
	製品型番	販売代理店からオーダー	STからオーダー	製品ステータス	ECCN (US)	ECCN (EU)	梱包タイプ	パッケージ	最小	最大	Country of Origin	Budgetary Price (US$)*/Qty
	SCTWA10N120	販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください		量産中	EAR99	NEC	Tube	HIP247 long leads	-	-	CHINA	8.5 / 1k

SCTWA10N120

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

詳細情報

Budgetary Price (US$)*/Qty

8.5 / 1k

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247 long leads

Operating Temperature (°C)

(最小)

(最大)

Budgetary Price (US$)* / Qty

8.5 / 1k

Country of Origin

CHINA

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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