SCTWA35N65G2V4AG

量産中

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.
  • 特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitances
    • Source sensing pin for increased efficiency
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

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STMicroelectronics - SCTWA35N65G2V4AG

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フットプリント

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA35N65G2V4AG
量産中
HiP247-4 オートモーティブ Ecopack2

SCTWA35N65G2V4AG

Package:

HiP247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HiP247-4

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
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STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
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パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tube HiP247-4 - - CHINA

SCTWA35N65G2V4AG

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HiP247-4

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。