SCTWA35N65G2VAG

量産中

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package

データシートのダウンロード
概要
サンプル & 購入
ソリューション
Documentation
CAD Resources
ツール & ソフトウェア
品質 & 信頼性
eDesignSuite
はじめる
Partner products
Sales Briefcase
  • This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

    主な特徴

    • AEC-Q101 qualified
    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitance

推奨コンテンツ

CAD/EDA Symbols, Footprints and Models

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA35N65G2VAG
量産中
HIP247 long leads オートモーティブ Ecopack2

SCTWA35N65G2VAG

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HIP247 long leads

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
SCTWA35N65G2VAG

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tube HIP247 long leads - - CHINA

SCTWA35N65G2VAG

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247 long leads

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。