SCTWA35N65G2VAG

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Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 25 C) in an HiP247 long leads package

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製品概要

概要

This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s advanced and innovative 2nd generation SiC MOSFET technology. The device features remarkably low on-resistance per unit area and very good switching performance. The variation of switching loss is almost independent of junction temperature.

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STMicroelectronics - SCTWA35N65G2VAG

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製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA35N65G2VAG
量産中
HIP247 long leads オートモーティブ Ecopack2

SCTWA35N65G2VAG

Package:

HIP247 long leads

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

HIP247 long leads

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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量産中
EAR99 NEC Tube HIP247 long leads - - CHINA

SCTWA35N65G2VAG

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

HIP247 long leads

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

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Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。