SCTWA50N120-4

量産中

Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 mOhm typ., 65 A in an HiP247-4 package

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概要

This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material allow designers to use an industry-standard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications.
  • All features

    • Very fast and robust intrinsic body diode
    • Low capacitances
    • Source sensing pin for increased efficiency
    • Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)

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品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
SCTWA50N120-4
量産中
TO247-4 インダストリアル Ecopack2

SCTWA50N120-4

Package:

TO247-4

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO247-4

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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製品ステータス
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ECCN (EU)
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パッケージ
温度(℃) Country of Origin
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SCTWA50N120-4

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Tube TO247-4 - - CHINA

SCTWA50N120-4

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO247-4

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。