製品概要
概要
The SGT65R65AL is a 650 V, 25 A e-mode PowerGaN transistor combined with a well established packaging technology. The resulting G-HEMT device provides extremely low conduction losses, high current capability and ultra fast switching operation to enable high power density and unbeatable efficiency performances.
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特徴
- Enhancement mode normally off transistor
- Very high switching speed
- High power management capability
- Extremely low capacitances
- Kelvin source pad for optimum gate driving
- Zero reverse recovery charge
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - SGT65R65AL
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EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
すべてのリソース
| タイトル | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | Latest update | ||
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| ZIP | 1.0 | 28 Feb 2023 | 28 Feb 2023 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| SGT65R65AL | 量産中 | POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||
| SGT65R65AL | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | POWERFLAT 5X6 HV FOR POWERGAN | 0 | 150 | CHINA | | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。