N-channel 600 V, 0.65 Ohm typ., 10 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in D2PAK package

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  • These devices are N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well-established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    Key Features

    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Zener-protected

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STB10NK60ZT4 D2PAK Tape And Reel
NRND
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DIGIKEY WORLDWIDE 1388 1 Order Now
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MOUSER WORLDWIDE 973 1 Order Now
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STB10NK60Z-1 I2PAK Tube
NRND
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STB10NK60ZT4

パッケージ

D2PAK

梱包タイプ

Tape And Reel

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地域 在庫 最小発注 Third party link
DIGIKEY WORLDWIDE 1388 1 Order Now
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DIGIKEY

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製品ステータス

NRND

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CHINA

STB10NK60Z-1

パッケージ

I2PAK

梱包タイプ

Tube

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製品ステータス

NRND

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EAR99

Country of Origin

CHINA

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推奨製品

推奨コンテンツ

開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS2635
      N-channel 600 V, 0.65 Ω typ., 10 A SuperMESH™ Power MOSFET in I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packages
      11.1
      938.61 KB
      PDF
      DS2635

      N-channel 600 V, 0.65 Ω typ., 10 A SuperMESH™ Power MOSFET in I2PAK, D2PAK, TO-220, TO-220FP, TO-247 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STB10NK60Z-1 PSpice model (.lib) 1.0
      575 Byte(s)
      ZIP

      STB10NK60Z-1 PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STB10NK60Z-1
NRND
I2PAK インダストリアル Ecopack2
STB10NK60ZT4
NRND
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB10NK60Z-1

Package:

I2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

I2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

STB10NK60ZT4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

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Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.