製品概要
概要
These N-channel Power MOSFETs are developed using STMicroelectronics' revolutionary MDmesh™ technology, which associates the multiple drain process with the company's PowerMESH™ horizontal layout. These devices offer extremely low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics. Utilizing ST's proprietary strip technique, these Power MOSFETs boast an overall dynamic performance which is superior to similar products on the market.-
特徴
- Low input capacitance and gate charge
- Low gate input resistance
- Best RDS(on)*Qg in the industry
注目ビデオ
Industry’s first 900 V MOSFETs with on-state resistance below 100 mΩ
Available in 10 different RDS(on) values and 9 packages
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STB11NM80
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 11 Dec 2020 | 11 Dec 2020 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STB11NM80T4 | 量産中 | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 | |
STB11NM80T4
Package:
D2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STB11NM80T4 | 4 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | -65 | 150 | CHINA | ||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
