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  • The MDmesh™ is a new revolutionary Power MOSFET technology that associates the multiple drain process with the company’s PowerMESH™ horizontal layout. The resulting product has an outstanding low on-resistance, impressively high dv/dt and excellent avalanche characteristics. The adoption of the Company’s proprietary strip technique yields overall dynamic performance that is significantly better than that of similar competition’s products.

    主な特徴

    • High dv/dt and avalanche capabilities
    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Tight process control and high manufacturing yields
    • Low gate input resistance

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STB12NM50T4

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D2PAK

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS1944
      N-channel 550V @ Tjmax - 0.30 OHM - 12A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH Power MOSFET
      11.4
      535.59 KB
      PDF
      DS1944

      N-channel 550V @ Tjmax - 0.30 OHM - 12A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDMESH Power MOSFET

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN3040
      STEVAL-ILB008V1 4 x 18 W/T8 ballast driven by L6585DE
      2.1
      692.47 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN3040

      STEVAL-ILB008V1 4 x 18 W/T8 ballast driven by L6585DE

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STB12NM50T4 PSpice model (.lib) 1.0
      568 Byte(s)
      ZIP

      STB12NM50T4 PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB12NM50T4
Active
D2PAK インダストリアル Ecopack2

STB12NM50T4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

D2PAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.