STB20N60M2-EP

生産終了

N-channel 600 V, 0.24 Ohm typ., 13 A MDmesh M2 EP Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh™ M2 enhanced performance (EP) technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance, optimized switching characteristics with very low turn-off switching losses, rendering it suitable for the most demanding very high frequency converters.

    主な特徴

    • Extremely low gate charge
    • Excellent output capacitance (COSS) profile
    • Very low turn-off switching losses
    • 100% avalanche tested
    • Zener-protected
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11493
      N-channel 600 V, 0.230 Ω typ., 13 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a D²PAK package
      3.0
      471.59 KB
      PDF
      DS11493

      N-channel 600 V, 0.230 Ω typ., 13 A MDmesh™ M2 EP Power MOSFET in a D²PAK package