Automotive grade N-channel 500 V, 0.23 Ohm typ., 17 A Zener-protected SuperMESH Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This device is an N-channel Zener-protected Power MOSFET developed using STMicroelectronics' SuperMESH™ technology, achieved through optimization of ST's well established strip-based PowerMESH™ layout. In addition to a significant reduction in on-resistance, this device is designed to ensure a high level of dv/dt capability for the most demanding applications.

    主な特徴

    • Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
    • Extremely high dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Gate charge minimized
    • Very low intrinsic capacitances
    • Very good manufacturing repeatability

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STB21NK50Z D2PAK Tape And Reel
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STB21NK50Z

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開発ツール・ハードウェア

    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS5926
      Automotive grade N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A, Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET in a D2PAK package
      2.0
      816.6 KB
      PDF
      DS5926

      Automotive grade N-channel 500 V, 0.23 Ω, 17 A, Zener-protected SuperMESH™ Power MOSFET in a D2PAK package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STB21NK50Z PSpice model (.lib) 1.0
      985 Byte(s)
      ZIP

      STB21NK50Z PSpice model (.lib)

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB21NK50Z
NRND
D2PAK オートモーティブ Ecopack1

STB21NK50Z

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.