STB45NF06

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N-channel 60 V, 0.22 Ohm typ., 38 A STripFET(TM) II Power MOSFET in a D2PAK package

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  • This Power MOSFET has been developed using STMicroelectronics’ unique STripFET process, which is specifically designed to minimize input capacitance and gate charge. This renders the device suitable for use as primary switch in advanced high-efficiency isolated DC-DC converters for telecom and computer applications, and applications with low gate charge driving requirements.

    主な特徴

    • Typical RDS(on)= 0.022 Ω
    • Exceptional dv/dt capability
    • 100% avalanche tested
    • Standard threshold drive

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • 概要 Version Size Action
      DS3855
      N-channel 60 V, 0.22 Ω typ., 38 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package
      2.1
      878.61 KB
      PDF
      DS3855

      N-channel 60 V, 0.22 Ω typ., 38 A STripFET™ II Power MOSFET in a D²PAK package

    • 概要 Version Size Action
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

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      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 Version Size Action
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

    • 概要 Version Size Action
      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions 1.0
      568.16 KB
      PDF
      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive 1.0
      676.32 KB
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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
      687.95 KB
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      300-1200 V MDmesh:The most complete SJ MOSFETs offer for (H)EV power solutions

      AEC-Q101 STripFET F7 MOSFETs for Automotive

      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STB45NF06T4
Active
D2PAK Automotive Ecopack1

STB45NF06T4

Package:

D2PAK

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

Package

D2PAK

Grade

Automotive

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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