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This Power MOSFET is the latest development of STMicroelectronis unique \"Single Feature SizeTM\" strip-based process. The resulting transistor shows extremely high packing density for low on-resistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps therefore a remarkable manufacturing reproducibility.
主な特徴
- TYPICAL RDS(on) = 0.01 Ω
- LOW GATE CHARGE
- OPTIMIZED FOR HIGH SWITCHING OPERATIONS
- LOGIC LEVEL GATE DRIVE
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モバイル･アプリケーション
| 製品型番 | 製品ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STB55NF03LT4 | NRND | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | |
STB55NF03LT4
Package:
D2PAKMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
