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  • The device is manufactured using high voltage multi epitaxial planar technology for high switching speeds and high voltage capability. It uses a cellular emitter structure with planar edge termination to enhance switching speeds while maintaining the wide RBSOA.

    The STBV32G and STBV32G-AP are supplied using halogen-free molding compound.

    主な特徴

    • High voltage capability
    • Minimum lot-to-lot spread for reliable operation
    • Low spread of dynamic parameters
    • Very high switching speed

サンプル & 購入

製品型番
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
概算価格(USS)
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ECCN (US)
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STからオーダー
STBV32-AP TO-92 Tape And Reel
NRND
- EAR99 CHINA No availability of distributors reported, please contact our sales office 購入

STBV32-AP

パッケージ

TO-92

梱包タイプ

Tape And Reel

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*

製品ステータス

NRND

Unit Price (US$)

-

数量

-

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS1635
      High voltage fast-switching NPN power transistor
      8.2
      234.04 KB
      PDF
      DS1635

      High voltage fast-switching NPN power transistor

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STBV32-AP
NRND
TO-92 インダストリアル Ecopack1

STBV32-AP

Package:

TO-92

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

TO-92

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.