N-channel 600 V, 0.37 Ohm typ., 10 A FDmesh II Power MOSFET in DPAK package

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  • The device is an N-channel FDmesh™ II Power MOSFET that belongs to the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a new vertical structure to the company's strip layout and associates all advantages of reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode.It is therefore strongly recommended for bridge topologies, in particular ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • The worldwide best RDS(on)* area amongst the fast recovery diode devices
    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
    • Extremely high dv/dt and avalanche capabilities

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    • 製品型番

      MOSFET product finder application for Android and iOS

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技術文書

    • Description バージョン サイズ アクション
      DS5797
      N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK
      2.1
      764.57 KB
      PDF
      DS5797

      N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A, FDmesh™ II Power MOSFET I2PAK, TO-220, TO-220FP, IPAK, DPAK

    • Description バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
      PDF
      AN1703
      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages
      1.3
      776.65 KB
      PDF
      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
      PDF
      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN1703

      Guidelines for using ST's MOSFET smd Packages

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

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      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • Description バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
      657.71 KB
      PDF
      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • Description バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD11NM60ND
Active
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD11NM60ND

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.