N-channel 500 V, 0.28 Ohm typ., 12 A MDmesh II Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the second generation of MDmesh™ technology. This revolutionary Power MOSFET associates a vertical structure to the company’s strip layout to yield one of the world’s lowest on-resistance and gate charge. It is therefore suitable for the most demanding high efficiency converters.

    主な特徴

    • 100% avalanche tested
    • Low input capacitance and gate charge
    • Low gate input resistance
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12790
      N-channel 500 V, 0.285 Ω typ., 12 A MDmesh™ II Power MOSFET in a DPAK package
      1.0
      661.15 KB
      PDF
      DS12790

      N-channel 500 V, 0.285 Ω typ., 12 A MDmesh™ II Power MOSFET in a DPAK package

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