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  • This device is an N-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

推奨コンテンツ

All tools & software

    • 製品型番
      ステータス
      概要
      タイプ
      サプライヤ

      STPOWER MOSFET Finder

      量産中

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

      ファインダ・アプリ ST
      STPOWER MOSFET Finder

      概要:

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

EDA Symbols, Footprints and 3D Models

STMicroelectronics - STD180N4F6

Speed up your design by downloading all the EDA symbols, footprints and 3D models for your application. You have access to a large number of CAD formats to fit with your design toolchain.

Symbols

Symbols

Footprints

Footprints

3D model

3D models

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD180N4F6
NRND
DPAK インダストリアル Ecopack2

STD180N4F6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STD180N4F6

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

Buy Direct
NRND
EAR99 NEC Tape And Reel DPAK - - CHINA

STD180N4F6

製品ステータス

NRND

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

DPAK

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。