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  • This application specific Power MOSFET is the third genaration of STMicroelectronics unique \"Single Feature Size™\" strip-based process. The resulting transistor shows the best trade-off between on-resistance and gate charge. When used as high and low side in buck regulators, it gives the best performance in terms of both conduction and switching losses. This is extremely important for motherboards where fast switching and high efficiency are of paramount importance.

    主な特徴

    • Logic level device
    • Conduction losses reduced
    • Optimal RDS(on)x Qg trade-off
    • Low threshold drive
    • Switching losses reduced

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製品型番
パッケージ
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製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
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STD40NF3LLT4 DPAK Tape And Reel
NRND
EAR99 CHINA 0.571 / 1k

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STD40NF3LLT4

パッケージ

DPAK

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

0.571 / 1k

製品ステータス

NRND

Budgetary Price (US$)* / Qty

0.571 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

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技術文書

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      DS1953
      N-channel 30V - 0.009Ω - 40A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET
      5.2
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      DS1953

      N-channel 30V - 0.009Ω - 40A - DPAK Low gate charge STripFET™ II Power MOSFET

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      AN4192
      Power MOSFETs: best choice guide for VRM application
      1.0
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      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
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      PDF
      AN1506

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      UM1575
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      UM1575

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD40NF3LLT4
NRND
DPAK Industrial Ecopack1

STD40NF3LLT4

Package:

DPAK

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください