STD40P3LLH6

NRND

P-channel -30 V, 12 mOhm typ., -40 A STripFET H6 Power MOSFET in a DPAK package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主な特徴

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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パッケージ
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STD40P3LLH6 DPAK Tape And Reel
NRND
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パッケージ

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STD40P3LLH6
NRND
DPAK Industrial Ecopack2

STD40P3LLH6

Package:

DPAK

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

NRND

Package

DPAK

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください