製品概要
概要
This N-Channel Power MOSFET product utilizes the 6thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure.The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.
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特徴
- RDS(on)* Qgindustry benchmark
- Extremely low on-resistance RDS(on)
- High avalanche ruggedness
- Low gate drive power losses
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STマイクロエレクトロニクス - STD75N3LLH6
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すべてのリソース
| タイトル | バージョン | 更新日 |
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SPICE models (1)
| タイトル | バージョン | 更新日 | ||
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| ZIP | 1.0 | 01 Aug 2015 | 01 Aug 2015 |
