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  • This high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the MDmesh™ DM2 fast-recovery diode series. It offers very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on), rendering it suitable for the most demanding high-efficiency converters and ideal for bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

    主な特徴

    • Fast-recovery body diode
    • Extremely low gate charge and input capacitance
    • Low on-resistance
    • 100% avalanche tested
    • Extremely high dv/dt ruggedness
    • Zener-protected

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    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS12220
      N-channel 600 V, 0.95 Ω typ., 5 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package
      3.0
      293.97 KB
      PDF
      DS12220

      N-channel 600 V, 0.95 Ω typ., 5 A MDmesh™ DM2 Power MOSFET in a TO-220FP package

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4250
      Fishbone diagram for power factor correction
      1.1
      772.32 KB
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      AN4720
      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection
      1.0
      1.4 MB
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      AN5427
      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode
      1.0
      834.68 KB
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      AN2626
      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter
      1.4
      446.79 KB
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      AN2842
      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology
      1.4
      896.91 KB
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      AN2344
      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings
      1.3
      880.04 KB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
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      AN4250

      Fishbone diagram for power factor correction

      AN4720

      Half bridge resonant LLC converters and primary side MOSFET selection

      AN5427

      MDmesh DM6: the last ST super-junction technology with fast recovery diode

      AN2626

      MOSFET body diode recovery mechanism in a phase-shifted ZVS full bridge DC/DC converter

      AN2842

      Paralleling of power MOSFETs in PFC topology

      AN2344

      Power MOSFET avalanche characteristics and ratings

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      TN1156
      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products
      1.0
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      TN1156

      Irradiated HV Power MOSFETs working in Linear Zone: a comparison of electro-thermal behavior with standard HV products

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

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      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
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      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STF6N60DM2
量産中
TO-220FP Industrial Ecopack2

STF6N60DM2

Package:

TO-220FP

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STF6N60DM2

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

TO-220FP Tube
量産中
EAR99 CHINA

STF6N60DM2

パッケージ

TO-220FP

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。