製品概要
概要
These devices utilize the 7thgeneration of design rules of ST’s proprietary STripFET™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on)in all packages.-
特徴
- Extremely low gate charge
- Ultra low on-resistance
- Low gate input resistance
注目ビデオ
Learn how ST’s low-voltage power MOSFETs can help you to solve your EMI/EMC issues in motor control applications
Ideal for hard-switching and high-current topologies
All tools & software
EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STF80N10F7
アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。
EDAシンボル
フットプリント
3Dモデル
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STF80N10F7 |
NRND
|
TO-220FP | インダストリアル | Ecopack2 |
|
STF80N10F7
Package:
TO-220FPMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STF80N10F7 | 4 distributors | Buy Direct |
NRND
|
EAR99 | NEC | Tube | TO-220FP | - | - | CHINA | 0.7237 / 1k | |
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。