製品概要
概要
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced proprietary trench gate field-stop structure, whose performance is optimized both in conduction and switching energy for hard-switching applications. A free-wheeling diode characterized by a low forward voltage drop and a very soft recovery behavior is co-packaged. The result is a product specifically designed to maximize efficiency for a wide range of applications.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 40 A
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Positive VCE(sat) temperature coefficient
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STG40H65FB2D7
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STG40H65FB2D7 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | -55 | 175 | CHINA | | ||
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