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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
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サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STG80H65FBD7 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | - | - | ITALY | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
