STG80H65FBD7

量産中

650 V, 80 A trench gate field-stop HB series high-speed IGBT die in D7 packing

データシートのダウンロード
概要
Online design
サンプル & 購入
ソリューション
ドキュメント
CADリソース
ツール & ソフトウェア
品質 & 信頼性
Partner products
Sales Briefcase

製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High-speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STG80H65FBD7

アプリケーションに適したEDAシンボル、フットプリント、および3Dモデルをダウンロードしてご利用頂けます。また、ご使用の設計ツールチェーンに対応したさまざまなCADフォーマットもご利用頂けます。

Symbols

EDAシンボル

Footprints

フットプリント

3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス グレード 材料宣誓書**
STG80H65FBD7
量産中
インダストリアル

STG80H65FBD7

Package:

Industrial

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店から購入
STから購入
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
最小
最大
STG80H65FBD7

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス・オフィスまでお問い合わせください

量産中
EAR99 NEC Not Applicable D.SCRIB.100% VI STAT - - SINGAPORE

STG80H65FBD7

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Not Applicable

パッケージ

D.SCRIB.100% VI STAT

Operating Temperature (°C)

(最小)

-

(最大)

-

Country of Origin

SINGAPORE

(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。