製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
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特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 80 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
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STMicroelectronics - STG80H65FBD7
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STG80H65FBD7 | distributors 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールス･オフィスまでお問い合わせください | 量産中 | EAR99 | NEC | Not Applicable | D.SCRIB.100% VI STAT | - | - | SINGAPORE | | ||
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