STGB10NC60HD

量産中
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Very fast "H" series

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製品概要

概要

This IGBT utilizes the advanced PowerMESH™ process resulting in an excellent trade-off between switching performance and low on-state behavior.

  • 特徴

    • Low on-voltage drop (VCE(sat))
    • Very soft ultra fast recovery antiparallel diode
    • Low CRES / CIES ratio (no cross-conduction susceptibility)

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGB10NC60HD

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB10NC60HDT4
量産中
Very fast "H" series D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB10NC60HDT4

Package:

Very fast "H" series

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

量産中

General Description

Very fast "H" series

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。