製品概要
概要
This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems.-
特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGB20N40LZ
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 2.0 | 03 Dec 2014 | 03 Dec 2014 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGB20N40LZ | 量産中 | D2PAK | オートモーティブ | Ecopack1 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
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| 製品型番 | Order from distributors | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Eoff (mJ) (typ) (@ Tc=125°C) | PTOT (W) (max) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | E<sub>off</sub> (mJ) (typ) (@ T<sub>c</sub>=125°C) | P<sub>TOT</sub> (W) (max) | Country of Origin | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | ||||||||||||||||
| STGB20N40LZ | 1 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tape and Reel | D2PAK | -55 | 175 | - | 150 | CHINA | | - | 150 | CHINA | ||
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（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。