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This application-specific IGBT utilizes the most advanced PowerMESH™ technology. The built-in Zener diodes between gate-collector and gate-emitter provide overvoltage protection capabilities. The device also exhibits low on-state voltage drop and low threshold drive for use in automotive ignition systems.
主な特徴
- Designed for automotive applications and AEC-Q101 qualified
- ESD gate-emitter protection
- Gate-collector high voltage clamping
- Logic level gate drive
- Low saturation voltage
- High pulsed current capability
- Gate and gate-emitter resistor
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | Eoff (mJ) (typ) (@ Tc =125°C) | PTOT (W) (max) | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20N40LZ | D2PAK | Tape And Reel | 量産中 | - | 150 | EAR99 | CHINA | 1.05 / 1k | 購入 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
