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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the "V" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- Very high speed switching series
- Tail-less switching off
- Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
- Lead free package
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製品スペック (1)
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| 19 Sep 2016 |
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アプリケーションノート (3)
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| 03 Apr 2020 |
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| 13 Sep 2018 |
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| 13 Sep 2018 |
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技術ノート & 解説 (1)
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| 13 Sep 2018 |
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フライヤ (2)
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| 13 Nov 2020 |
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGB20V60DF
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Symbols
Footprints
3D models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20V60DF |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGB20V60DF | 2 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | 1.55 / 1k | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
