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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the "V" series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- Very high speed switching series
- Tail-less switching off
- Low saturation voltage: VCE(sat)= 1.8 V (typ.) @ IC= 20 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
- Lead free package
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGB20V60DF | D2PAK | Tape And Reel | 量産中 | EAR99 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | 2.45 / 1k | 購入 | 在庫チェック |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
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| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGB20V60DF | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speed | D2PAK | Industrial | Ecopack2 | |
STGB20V60DF
Package:
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 20 A very high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
