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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- Tail-less switching off
- VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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| 25 Sep 2020 |
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アプリケーションノート (3)
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| 10 Jun 2015 |
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テクニカル･ノート & 技術解説 (1)
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| 13 Sep 2018 |
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フライヤー (1)
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| 04 May 2020 |
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CAD/EDA Symbols, Footprints and Models
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
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| ZIP | 19 Aug 2015 |
19 Aug 2015
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGB30V60F |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | D2PAK | インダストリアル | Ecopack2 |
|
STGB30V60F
Package:
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGB30V60F | 1 distributors |
量産中
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EAR99 | NEC | Tape And Reel | D2PAK | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | 1.9 / 1k | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
1.9 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
