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  • These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS10155
      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed
      6.0
      463.07 KB
      PDF
      DS10155

      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN5277
      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment
      1.0
      1.08 MB
      PDF
      AN4638
      Welding machines: V and HB series IGBTs on two-switch forward converters
      1.0
      724.64 KB
      PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

      AN5277

      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment

      AN4638

      Welding machines: V and HB series IGBTs on two-switch forward converters

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGFW30H65FB PSpice model 1.0
      8.78 KB
      ZIP

      STGFW30H65FB PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies 1.0
      183.23 KB
      PDF
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      PDF

      HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGFW30H65FB
量産中
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT TO-3PF インダストリアル Ecopack1

STGFW30H65FB

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
概要
Budgetary Price (US$)*/Qty
STGFW30H65FB

販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください

TO-3PF Tube
量産中
EAR99 SOUTH KOREA Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT 2.8 / 1k

STGFW30H65FB

パッケージ

TO-3PF

梱包タイプ

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

2.8 / 1k

製品ステータス

量産中

Budgetary Price (US$)* / Qty

2.8 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

SOUTH KOREA

概要

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。