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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- Tail-less switching off
- VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
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| STGFW30V60F | TO-3PF | Tube | 量産中 | EAR99 | KOREA (south) | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | 2.2 / 1k | サンプル入手 | 在庫チェック |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
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| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGFW30V60F | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | TO-3PF | Industrial | Ecopack1 | |
STGFW30V60F
Package:
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
