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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- Tail-less switching off
- VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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| 26 Sep 2020 |
26 Sep 2020
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アプリケーションノート (3)
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| 10 Jun 2015 |
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| 07 Jan 2015 |
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| 23 Feb 2015 |
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テクニカル･ノート & 技術解説 (1)
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| 13 Sep 2018 |
13 Sep 2018
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フライヤー (1)
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGFW30V60F
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
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| ZIP | 15 Apr 2016 |
15 Apr 2016
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGFW30V60F |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | TO-3PF | インダストリアル | Ecopack1 |
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STGFW30V60F
Package:
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGFW30V60F |
販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-3PF | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 30 A very high speed | 2.2 / 1k | ||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
