Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 80 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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      DS10352
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      1.6 MB
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      DS10352

      Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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      STGFW80V60F PSpice model 1.0
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      STGFW80V60F PSpice model

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGFW80V60F
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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed TO-3PF インダストリアル Ecopack1

STGFW80V60F

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

Active

General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

Package

TO-3PF

Grade

Industrial

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