STGP15M120F3

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Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where the low-loss and the short-circuit functionality is essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and the tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 10 μs of minimum short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.85 V (typ.) @ IC = 15 A
    • Tight parameter distribution
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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      DS11255
      Trench gate field-stop, 1200 V, 15 A, low-loss M series IGBT in a TO-220 package
      3.0
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      DS11255

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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGP15M120F3
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TO-220AB Industrial Ecopack2

STGP15M120F3

Package:

TO-220AB

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TO-220AB

Grade

Industrial

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(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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