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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices are part of the improved H series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of high frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat)= 2.1 V (typ.) @ IC= 15 A
- 5 μs minimum short-circuit withstand time at TJ=150 °C
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGW15H120F2 | 量産中 | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW15H120F2 | 2 distributors | サンプル入手 | TO-247 | Tube | 量産中 | EAR99 | CHINA | 2.18 / 1k |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
