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This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix "W" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).
主な特徴
- Improved Eoffat elevated temperature
- Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
- Low VF soft recovery antiparallel diode
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW35HF60WDI | 量産中 | 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGW35HF60WDI
Package:
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW35HF60WDI | 3 distributors | 購入 | TO-247 | Tube | 量産中 | EAR99 | CHINA | 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
