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This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix "W" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).
主な特徴
- Improved Eoffat elevated temperature
- Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
- Low VF soft recovery antiparallel diode
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製品スペック (1)
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| 26 Sep 2020 |
26 Sep 2020
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アプリケーションノート (2)
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| 10 Jun 2015 |
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| 07 Jan 2015 |
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フライヤー (2)
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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| 26 Jun 2015 |
26 Jun 2015
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CAD/EDA Symbols, Footprints and Models
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW35HF60WDI |
量産中
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35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode | TO-247 | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGW35HF60WDI
Package:
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diodeMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGW35HF60WDI | 3 distributors | Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 | 175 | 150 | CHINA | 35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
