35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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  • This ultrafast IGBT is developed using a new planar technology to yield a device with tighter switching energy variation (Eoff) versus temperature. The suffix "W" denotes a subset of products designed for high switching frequency operation (over 100 kHz).

    主な特徴

    • Improved Eoffat elevated temperature
    • Low CRES / CIESratio (no cross-conduction susceptibility)
    • Low VF soft recovery antiparallel diode

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STGW35HF60WDI TO-247 Tube
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Country of Origin

CHINA

概要

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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    • 製品型番

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS6424
      35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode
      3.1
      1.03 MB
      PDF
      DS6424

      35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGW35HF60WDI
アクティブ
35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW35HF60WDI

Package:

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

General Description

35 A, 600 V ultrafast IGBT with low drop diode

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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