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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT is the result of a compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

    主な特徴

    • High speed switching
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • 6 μs short-circuit withstand time
    • Very fast soft recovery antiparallel diode
    • Lead free package

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STGW60H65DF TO-247 Tube
NRND
EAR99 - 60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode 5.03 / 1k 購入 在庫チェック

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NRND

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ECCN (US)

EAR99

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-

概要

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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    • 製品型番

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      DS8980
      60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode
      4.1
      1.88 MB
      PDF
      DS8980

      60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode

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HWモデル、CADライブラリ & SVD

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW60H65DF
NRND
60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode TO-247 Industrial Ecopack2

STGW60H65DF

Package:

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

General Description

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with very fast diode

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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