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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. A faster switching event can be achieved by the Kelvin pin, which separates power path from driving signal. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
    • Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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STGW60H65DFB-4 TO247-4 Tube
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1000

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CHINA

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11665
      Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT
      3.0
      551.64 KB
      PDF
      DS11665

      Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
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      PDF
      AN5277
      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment
      1.0
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HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGW60H65DFB-4 PSpice model 1.0
      4.5 KB
      ZIP

      STGW60H65DFB-4 PSpice model

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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
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      HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies 1.0
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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen 1.0
      357.76 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies

      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGW60H65DFB-4
アクティブ
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed TO247-4 インダストリアル Ecopack2

STGW60H65DFB-4

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

アクティブ

General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Package

TO247-4

Grade

Industrial

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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