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STGW60H65DFB-4

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. A faster switching event can be achieved by the Kelvin pin, which separates power path from driving signal. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
    • Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A
    • Minimized tail current
    • Tight parameter distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode
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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		DS11665
      Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT       		3.0
      551.64 KB
      		PDF
      DS11665

      Trench gate field-stop 650 V, 60 A high speed HB series IGBT

      PDF
    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		AN4694
      EMC design guides for motor control applications       		1.0
      2.13 MB
      		PDF
      		AN4544
      IGBT datasheet tutorial       		1.1
      2.4 MB
      		PDF
      		AN5277
      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment       		1.0
      1.08 MB
      		PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      PDF
      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

      PDF
      AN5277

      Introduction to the new fast 650 V HB2 IGBT series on a two‑switch forward welding equipment

      PDF

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		STGW60H65DFB-4 PSpice model 1.0
      4.5 KB
      		ZIP

      STGW60H65DFB-4 PSpice model

      ZIP

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      		HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies 1.0
      183.23 KB
      		PDF
      		ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      		PDF

      HB series 650 V IGBTs; Trench Gate Field-stop High-speed technologies

      PDF

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

      PDF

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW60H65DFB-4
量産中
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed TO247-4 インダストリアル Ecopack2

STGW60H65DFB-4

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Material Declaration**:

PDF XML
More Info

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

Package

TO247-4

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度（℃） Budgetary Price (US$)*/Qty
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最大
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販売代理店在庫STGW60H65DFB-4

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
Farnell Element14 EUROPE 132 1 発注する

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Farnell Element14

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132

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地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-01

量産中
EAR99 NEC Tube TO247-4 -55 175 5.1 / 1k
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Country of Origin:

CHINA

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

STGW60H65DFB-4

製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99
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代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
Farnell Element14 EUROPE 132 1 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-01

代理店名

Farnell Element14

在庫

132

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1

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-08-01

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tube

パッケージ

TO247-4

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

5.1 / 1k

Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed

（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。