製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. A faster switching event can be achieved by the Kelvin pin, which separates power path from driving signal. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Excellent switching performance thanks to the extra driving kelvin pin
- Low VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 60 A
- Minimized tail current
- Tight parameter distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Very fast soft recovery antiparallel diode
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| 21 Jun 2019 | 21 Jun 2019 |
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| 04 May 2020 | 04 May 2020 |
EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGW60H65DFB-4
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| ZIP | 28 Apr 2017 | 28 Apr 2017 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGW60H65DFB-4 | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | TO247-4 | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGW60H65DFB-4
Package:
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGW60H65DFB-4 | 1 distributors | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO247-4 | -55 | 175 | CHINA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 60 A high speed | 5.1 / 1k | |||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
5.1 / 1k（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
