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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT is the result of a compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of high switching frequency converters. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

    主な特徴

    • Very high speed switching
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • 6 μs short-circuit withstand time
    • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

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STGW60H65DRF TO-247 Tube
NRND
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STGW60H65DRF

パッケージ

TO-247

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製品ステータス

NRND

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4

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EAR99

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-

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60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

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    • 製品型番

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      DS8702
      60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode
      6.0
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      DS8702

      60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGW60H65DRF
NRND
60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW60H65DRF

Package:

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

General Description

60 A, 650 V field stop trench gate IGBT with Ultrafast diode

Package

TO-247

Grade

Industrial

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