STGW80V60DF

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field stop structure. The device is part of the V series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ= 175 °C
    • Tail-less switching off
    • VCE(sat)= 1.85 V (typ.) @ IC= 80 A
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STGW80V60DF

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3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGW80V60DF
NRND
Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed TO-247 インダストリアル Ecopack2

STGW80V60DF

Package:

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

General Description

Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

Package

TO-247

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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Trench gate field-stop IGBT, V series 600 V, 80 A very high speed

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