Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High-speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.55 V(typ) @ IC = 30 A
    • Safe paralleling
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance

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Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

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      DS12134
      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high-speed in a TO-247 long leads package
      1.0
      746.62 KB
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      DS12134

      Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high-speed in a TO-247 long leads package

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      ST IGBT Finder, get the right IGBT for your application with a touch of your screen

製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STGWA30H65FB
アクティブ
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT TO-247 long leads インダストリアル Ecopack2

STGWA30H65FB

Package:

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

アクティブ

General Description

Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT

Package

TO-247 long leads

Grade

Industrial

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