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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the S series of 1200 V IGBTs which is tailored to maximize efficiency of low frequency industrial systems. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
特徴
- 10 μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat)= 1.65 V (typ.) @ IC= 40 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery antiparallel diode
注目ビデオ
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製品スペック (1)
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18 Dec 2014 |
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アプリケーションノート (3)
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03 Apr 2020 |
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13 Sep 2018 |
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13 Sep 2018 |
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フライヤ (1)
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04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
品質 & 信頼性
製品型番 | Marketing Status | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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STGWA40S120DF3 |
量産中
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TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGWA40S120DF3
Package:
TO-247 long leadsMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度(℃) | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
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最小 | 最大 | |||||||||||
STGWA40S120DF3 | 4 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | -55 | 175 | CHINA | 4.82 / 1k |
(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。