製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the S series of 1200 V IGBTs which is tailored to maximize efficiency of low frequency industrial systems. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- 10 μs of short-circuit withstand time
- VCE(sat)= 1.65 V (typ.) @ IC= 40 A
- Tight parameter distribution
- Safer paralleling
- Low thermal resistance
- Soft and fast recovery antiparallel diode
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EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル
STMicroelectronics - STGWA40S120DF3
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 08 Jun 2015 |
08 Jun 2015
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|
| STGWA40S120DF3 |
量産中
|
TO-247 long leads | インダストリアル | Ecopack2 |
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | Budgetary Price (US$)*/Qty | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||
| STGWA40S120DF3 | 1 distributors |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-247 long leads | -55 | 175 | CHINA | 6.9592 / 1k | ||
製品ステータス
量産中ECCN (US)
EAR99Budgetary Price (US$)*/Qty
6.9592 / 1k（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。