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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. This IGBT series offers the optimum compromise between conduction and switching losses, maximizing the efficiency of very high frequency converters. Furthermore, a positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in easier paralleling operation.

    主な特徴

    • High speed switching
    • Tight parameters distribution
    • Safe paralleling
    • Low thermal resistance
    • Short-circuit rated
    • Ultrafast soft recovery antiparallel diode

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製品型番
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ECCN (US)
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STGWT20H60DF TO-3P Tube
NRND
EAR99 SOUTH KOREA 600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT 1.6 / 1k 購入 在庫チェック

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STGWT20H60DF

パッケージ

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Tube

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製品ステータス

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ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

SOUTH KOREA

概要

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。

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技術文書

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      DS9721
      600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT
      1.0
      1.26 MB
      PDF
      DS9721

      600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

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製品型番 製品ステータス 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT20H60DF
NRND
600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT TO-3P Industrial Ecopack2

STGWT20H60DF

Package:

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

General Description

600 V, 20 A high speed trench gate field-stop IGBT

Package

TO-3P

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください