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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
- Tight parameter distribution
- Co-packed diode for protection
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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製品スペック (1)
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| 25 Sep 2020 |
25 Sep 2020
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アプリケーションノート (3)
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| 10 Jun 2015 |
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| 07 Jan 2015 |
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| 30 Jan 2019 |
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フライヤー (2)
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| 08 Mar 2019 |
08 Mar 2019
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| 04 May 2020 |
04 May 2020
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EDA Symbols, Footprints and 3D Models
STMicroelectronics - STGWT20HP65FB
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HWモデル、CADライブラリ & SVD (1)
| Resource title | Latest update | |||
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| ZIP | 31 Jan 2017 |
31 Jan 2017
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品質 & 信頼性
| 製品型番 | Marketing Status | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
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| STGWT20HP65FB |
量産中
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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | TO-3P | インダストリアル | Ecopack2 |
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STGWT20HP65FB
Package:
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店からオーダー | STからオーダー | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
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| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGWT20HP65FB | 1 distributors | Free Sample Buy Direct |
量産中
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EAR99 | NEC | Tube | TO-3P | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | |||
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
