製品概要
概要
This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.-
特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 20 A
- Tight parameter distribution
- Co-packed diode for protection
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
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STMicroelectronics - STGWT20HP65FB
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すべてのリソース
| Resource title | バージョン | Latest update |
|---|
SPICE models (1)
| Resource title | バージョン | Latest update | ||
|---|---|---|---|---|
| ZIP | 1.0 | 31 Jan 2017 | 31 Jan 2017 |
品質 & 信頼性
| 製品型番 | マーケティング･ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT20HP65FB | 量産中 | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | TO-3P | インダストリアル | Ecopack2 | |
STGWT20HP65FB
Package:
Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speedMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
サンプル & 購入
| 製品型番 | 販売代理店から購入 | STから購入 | 製品ステータス | ECCN (US) | ECCN (EU) | 梱包タイプ | パッケージ | 温度（℃） | Country of Origin | 概要 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 詳細情報 | ||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 最小 | 最大 | |||||||||||||
| STGWT20HP65FB | 1 distributors | Buy Direct | 量産中 | EAR99 | NEC | Tube | TO-3P | -55 | 175 | SOUTH KOREA | Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 20 A high speed | |||
（*）概算用の参考価格（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
