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These devices are IGBTs developed using an advanced proprietary trench gate and field stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, a slightly positive VCE(sat)temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
主な特徴
- Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
- High speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 30 A
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
サンプル & 購入
| 製品型番 | パッケージ | 梱包タイプ | 製品ステータス | ECCN (US) | Country of Origin | 概要 | Approximate Price (US$)* / Qty | STからオーダー | 販売代理店からオーダー |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT30H65FB | TO-3P | Tube | NRND | EAR99 | - | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | 3.06 / 1k | 購入 | 販売代理店に在庫がない場合は、STのセールスオフィスまでお問い合わせください |
（*）概算用の希望小売単価（US$）です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス･オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。
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モバイル･アプリケーション
| 製品型番 | 製品ステータス | 概要 | パッケージ | グレード | RoHSコンプライアンスグレード | 材料宣誓書** |
|---|---|---|---|---|---|---|
| STGWT30H65FB | NRND | Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBT | TO-3P | Industrial | Ecopack2 | |
STGWT30H65FB
Package:
Trench gate field-stop 650 V, 30 A high speed HB series IGBTMaterial Declaration**:
(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ･ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください
