STGWT80H65FB

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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

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製品概要

概要

This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the new HB series of IGBTs, which represents an optimum compromise between conduction and switching loss to maximize the efficiency of any frequency converter. Furthermore, the slightly positive VCE(sat) temperature coefficient and very tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 特徴

    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C
    • High speed switching series
    • Minimized tail current
    • VCE(sat) = 1.6 V(typ) @ IC = 80 A
    • Safe paralleling
    • Tight parameter distribution
    • Low thermal resistance
    • Very fast soft recovery antiparallel diode

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製品型番 Marketing Status 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGWT80H65FB
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Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed TO-3P インダストリアル Ecopack2

STGWT80H65FB

Package:

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

Material Declaration**:

Marketing Status

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General Description

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

Package

TO-3P

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

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EAR99 NEC Tube TO-3P -55 175 5.2 / 1k
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SOUTH KOREA

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(最大)

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概要

Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 80 A high speed

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。