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  • These N-channel Power MOSFETs utilize STripFET™ F7 technology with an enhanced trench gate structure that results in very low on-resistance, while also reducing internal capacitance and gate charge for faster and more efficient switching.

    主な特徴

    • Among the lowest RDS(on) on the market
    • Excellent figure of merit (FoM)
    • Low Crss/Ciss ratio for EMI immunity
    • High avalanche ruggedness

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER MOSFET finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS9403
      N-channel 100 V, 4.9 mΩ typ., 110 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages
      4.0
      858.08 KB
      PDF
      DS9403

      N-channel 100 V, 4.9 mΩ typ., 110 A, STripFET™ F7 Power MOSFETs in H2PAK-2 and H2PAK-6 packages

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN3267
      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance
      1.2
      1.13 MB
      PDF
      AN4789
      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance
      1.1
      1,006.7 KB
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      AN4191
      Power MOSFET: Rg impact on applications
      1.2
      1.45 MB
      PDF
      AN4390
      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies
      1.1
      1.22 MB
      PDF
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN3267

      Impact of power MOSFET VGS on buck converter performance

      AN4789

      Monolithic Schottky diode in ST F7 LV MOSFET technology: improving application performance

      AN4191

      Power MOSFET: Rg impact on applications

      AN4390

      ST’s MOSFET technologies for uninterruptible power supplies

      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

関連資料

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      STPOWER™ STripFET F7 MOSFET for Industrial applications 1.1
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    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH110N10F7-2
NRND
H2PAK-2 Industrial Ecopack1

STH110N10F7-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
パッケージ
梱包タイプ
製品ステータス
ECCN (US)
Country of Origin
Budgetary Price (US$)*/Qty
STH110N10F7-2 Available at 2 distributors

販売代理店在庫STH110N10F7-2

代理店名
地域 Stock 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 1085 1 発注する
ARROW EUROPE 1000 0 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-06

代理店名

RS COMPONENTS

Stock

1085

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

ARROW

Stock

1000

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-06

購入 H2PAK-2 Tape And Reel
NRND
EAR99 CHINA 2.8 / 1k

STH110N10F7-2

パッケージ

H2PAK-2

梱包タイプ

Tape And Reel

Budgetary Price (US$)*/Qty

2.8 / 1k

販売代理店在庫STH110N10F7-2

代理店名
地域 Stock 最小発注 パートナー企業リンク
RS COMPONENTS EUROPE 1085 1 発注する
ARROW EUROPE 1000 0 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-06

代理店名

RS COMPONENTS

Stock

1085

Min.Order

1

地域

EUROPE 発注する

ARROW

Stock

1000

Min.Order

0

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-06

製品ステータス

NRND

Budgetary Price (US$)* / Qty

2.8 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。