STH130N10F3-2

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N-channel 100 V, 7.8 mOhm typ., 120 A STripFET(TM) Power MOSFET in H2PAK-2 package

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  • These devices are N-channel enhancement mode Power MOSFETs produced using STMicroelectronics’ STripFET™ III technology, which is specifically designed to minimize on-resistance and gate charge to provide superior switching performance.

    主な特徴

    • Ultra low on-resistance
    • 100% avalanche tested

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STH130N10F3-2 H2PAK-2 Tape And Reel
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STH130N10F3-2

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H2PAK-2

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Tape And Reel

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1000

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      N-channel 100 V, 7.8 mΩ typ., 120 A STripFET™III Power MOSFET in TO-220FP, I²PAKFP, H²PAK-2 and TO-220 packages
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      DS7114

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      Products and solutions for solar energy 1.0
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製品型番 製品ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード Material Declaration**
STH130N10F3-2
Active
H2PAK-2 インダストリアル Ecopack1

STH130N10F3-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

PDF XML

Marketing Status

Active

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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