STH160N4LF6-2

NRND
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N-channel 40 V, 2.7 mOhm typ., 160 A STripFET F6 Power MOSFET in H2PAK-2 package

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製品概要

概要

This device is an N-channel Power MOSFET developed using the 6thgeneration of STripFET™ DeepGATE™ technology, with a new gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits the lowest RDS(on) in all packages.

  • 特徴

    • RDS(on)* Qgindustry benchmark
    • Extremely low on-resistance RDS(on)
    • Logic level drive
    • High avalanche ruggedness
    • 100% avalanche tested

EDAシンボル / フットプリント / 3Dモデル

STMicroelectronics - STH160N4LF6-2

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3D model

3Dモデル

品質 & 信頼性

製品型番 マーケティング・ステータス パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STH160N4LF6-2
NRND
H2PAK-2 インダストリアル Ecopack1

STH160N4LF6-2

Package:

H2PAK-2

Material Declaration**:

Marketing Status

NRND

Package

H2PAK-2

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack1

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

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製品型番
製品ステータス
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STから購入
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パッケージ
梱包タイプ
RoHS
Country of Origin
ECCN (US)
ECCN (EU)
STH160N4LF6-2
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販売代理店
地域 在庫 最小発注数量 パートナー企業リンク

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STH160N4LF6-2 NRND

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(*)概算用の参考価格(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。